Re: [請益] 5、7nm的光阻跟14nm的不同嗎?

看板 Tech_Job
作者 negohsu (專打不專業環團)
時間 2019-12-03 14:42:47
留言 85 ( 56推 3噓 26→ )
這個問題短短的，但是認真回起來可是會變萬言書的。 光阻(photoresist,PR)是用來定義晶圓圖案的介質，光線經過光罩.透鏡將圖案轉移至光 阻上，再透過蝕刻將這層圖案轉印到底下的晶圓上，這就是簡單的半導體製作流程。 光罩上的圖案，是由光線轉印到光阻上，那要怎樣才能讓圖案越來越 小，就是半導體的 製程演進。22nm,16nm,14nm,12nm,7nm,5nm....這些就是製程世代中，用來表現製程能力 的代稱，在記憶體(ex:NAND)，這個數字代表BL/WL pitch 的1/2。 要如何讓光阻上轉印的圖型越來越 小，詳細請餵狗。總的來說，用波長較短的光是最簡 單的。如KrF波長248nm，ArF波長193nm，這些通稱DUV。KrF對應的世代是0.15-0.25um，A rF對應0.13-0.18um EUV波長為13.5nm，對應的則是則是7nm,5nm或以下。 從130nm - 7nm中間的空缺，則由193i以及多重曝光或多次圖型化技術給填上。 對應不同波長的光，就會有不同的光阻，一般你會聽到KrF光阻就是給248nm光源使用，Ar F就是給193nm光源使用。Immersion光阻就是給193i使用。EUV光阻不用我講吧。 一般來說，7nm，5nm用到EUV，光阻就會跟14nm相異。如果7nm，5nm還是使用193i搭配多 次圖型化技術，那跟14nm使用的光阻大致上一樣。 當然，光阻會有很多改進。當光波長變短，對應的光阻就會變的更薄更軟(對蝕刻的講法 ，就是更不耐蝕刻)。 光阻廠商會做很多的調整，讓光阻厚度，均勻度或抗蝕刻能力較佳。也有些調整是有關缺 陷(defect)的改進，同樣都是KrF，各家使用也是有所不同。 簡單科普，希望有幫到你。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 110.28.34.48 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1575355369.A.F38.html

留言

推 michaelgodtw 路人學經驗 12/03 14:45 1F
→ y800122155 樓下歐底特 這篇幾顆星? 12/03 15:12 2F
推 kk123 ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ 12/03 16:13 3F
推 sdbb 先推再看，謝謝 12/03 16:15 4F
推 louis021789 希望這種認真文越來越多 12/03 17:08 5F
噓 JJiaK 輕輕鬆鬆問出技術細節 保密都不用了 12/03 17:26 6F
這只是基本知識，連機密的邊都沾不上。
推 jeff40108 估狗就有的要保什麼密XD 12/03 17:33 7F
推 thumba87295 某樓以為這樣就機密，你當tune參數的都87？ 12/03 17:41 8F
推 ssmmll 保密 XD 12/03 17:42 9F
推 motan 感謝科普，文組表示知道了。 12/03 17:51 10F
→ luche 直接回我 5434現在是便宜還是貴? 12/03 17:54 11F
我記得我不是回在股版啊。
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/03/2019 18:05:45
→ j0958322080 文組才覺得這是細節 12/03 18:09 12F
推 a810086 認真文推一個，黃光製程基礎入門課 12/03 18:11 13F
推 djboy 推 12/03 18:21 14F
→ wzmildf 這東西隨便買一本半導體製程課本應該都有吧.. 12/03 18:52 15F
→ feel159357 哈哈六樓是反串吧 12/03 18:54 16F
推 nastie 推 用心回覆 12/03 18:54 17F
推 darkangel119 笑死 這是機密XD 要不要先關三天 12/03 19:01 18F
推 double21 對我們門外漢科普一下還是很有用的！ 12/03 19:07 19F
→ double21 感謝！ 12/03 19:07 20F
推 maikxz 笑死這細節機密XDDDDDDDDDDDD 12/03 19:10 21F
推 HeartBreaker 台灣似乎沒有公司能做出半導體用的光阻 12/03 19:38 22F
推 newper 感謝分享，這篇把我的記憶都找回來了XD，我是開篇原PO 12/03 19:53 23F
推 newper 因為成功轉Q，我那本半導體製程早就丟了(不知道華通書局還 12/03 19:57 24F
→ newper 在不在) 12/03 19:57 25F
推 a810086 我記得台灣還是有可以自製的半導體光阻，但是良率不好 12/03 20:06 26F
→ faniour 依進步的速度，生產對應的光阻，資本支出要很大 12/03 20:18 27F
→ faniour 機台不更新很難做對應的產品 12/03 20:18 28F
→ faniour 另外如果沒有一間公司願意陪練，很難做出成熟產品 12/03 20:19 29F
→ faniour 再加上信心度跟品牌形象問題，很難有後面的競爭者 12/03 20:20 30F
推 superex 推 12/03 20:30 31F
噓 dxdy 誰給你基本知識 這根本是常識 12/03 20:33 32F
閣下學識淵博，能把這些常人餵狗都不見得能理解的事當常識。
推 Qcloud 推 12/03 20:34 33F
推 ddiuyxx 認真文 12/03 20:56 34F
推 henryyeh0731 之前達興好像有在玩光阻，不曉得成果如何就是了 12/03 21:01 35F
推 lf2andnet 用心給推 12/03 21:01 36F
推 Satansblessi 達興的不錯啊 但僅限於面板業，半導體光阻還是AZ 12/03 21:57 37F
→ Satansblessi 和日商為主 12/03 21:57 38F
推 loveFigo 推科普 12/03 22:05 39F
推 kurll 真正的機密是參數設定跟process內容好嗎 某樓？ 12/03 22:13 40F
推 qwe172839 感謝休息時間不多的黃光弟兄還出一篇好文 12/03 22:25 41F
不是黃光弟兄，只是個求知欲比較高的打雜工。
推 loveFigo 光阻（PR) 基本上就高分子跟紫外光反應，被UV能量打斷鍵 12/03 22:35 42F
→ loveFigo 結的部份顯影就被洗掉 12/03 22:35 43F
奇實還有一種光阻叫負光阻，顯影過的地方是留著的。
→ loveFigo 不同波長能量不同，會產生斷鍵反應的鍵結也不同 12/03 22:35 44F
推 jfsu BL/WL pitch 的1/2 是DRAM, NAND不是用這個算的唷 12/03 22:44 45F
NAND的製程世代是B/LWL的1/2 pitch。NAND是4F^2的Cell size。
推 h321123aa 這就大方向提一提，機密在哪… 12/03 22:46 46F
推 loveFigo 其實記憶體跟logic線寬不能直接對應 12/03 22:56 47F
→ loveFigo 搞不好記憶體的19nm design rule 跟logic對應起來接近7n 12/03 22:58 48F
→ loveFigo m. 12/03 22:58 49F
→ loveFigo (純舉例，詳細數字我也不知道 12/03 22:58 50F
這個講起來有點雜 NAND原本的製程世代是BL/WL的1/2pitch。但是在進入1字頭世代，為了搶快開始出現BL是 1X，WL是2X的NAND，這時也宣稱是1字頭世代，等到BL/WL都是1X的時候，就叫1字頭 + 世 代。 邏輯則是FinFET之後，製程世代的數字就越來越迷，I皇一套，T哥一套，星弟也一套。總 的來說是Fin pitch 的1/3約略等同製程世代，但這也只是約略，不是約定俗成的計算法 。
推 angerenergy 推推 12/03 23:17 51F
推 bopanda 推 12/03 23:40 52F
推 chariot825 科普的超好 12/04 00:14 53F
推 Mei2521 機密啥 我上課做的報告都比這詳細 12/04 02:15 54F
科普是要一般人都看的懂 報告是要給老師看的，寫科普報告上去肯定是低分那群。
推 CarlOrz 推 12/04 02:32 55F
推 tuyere1127 趕緊推一下免得被發現看不懂 12/04 04:34 56F
推 homer00 推一下 12/04 06:32 57F
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 07:47:51
推 mmx9797 隔行如隔山 這真的算常職了 12/04 07:39 58F
常識是指一般大眾普遍擁有，不需要特別學習的事。 知識是需要經過學習理解的過程而得到的，所以這些應該算基本知識。
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 07:52:16
推 rosseta0702 推 12/04 08:10 59F
→ faniour 光阻有正負型的差別 12/04 08:21 60F
→ faniour 大部分的光阻是光酸或光起始劑去跟成份反應 12/04 08:27 61F
→ faniour 高分子比較少做為吸光中心，斷裂也是斷側鏈為主 12/04 08:28 62F
對非黃光出身的人而言，這些知識太深。非理工科系甚至可以直接放棄理解。
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 09:01:54
推 ato99 那同光源為何也有不同光阻的配置是和後續流程有關嗎？ 12/04 09:29 63F
這跟線寬有很大的關係 主要還是光阻的深寬比(AR) 有時光阻厚度需求超過了深寬比的最大值，這時就需要對光阻成份做調整，讓光阻不會因 為過高而倒塌(Collapse)。 另外還有可能就是缺陷的問題(defect)。 通常遇到這類問題，改另一種光源或xxx (可能有點違規 的風險，就請恕我保留)通常會比調整光阻成份容易。畢竟一種新成份光阻的使用與上線 ，存在的後續作業太繁瑣。除非另一種光阻已經有在FAB使用，那就只是適用性的問題。
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 09:42:13
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 09:44:32
推 Satansblessi 老師您真佛心，還一個一個回覆，認真給推！ 12/04 09:44 64F
推 z790305000 推一個0.0 12/04 09:56 65F
推 geniusw 太神啦 12/04 09:59 66F
推 b777300 陰刻跟陽刻 12/04 11:29 67F
噓 ngxx 機密 ㄎㄎ 12/04 11:32 68F
推 moonchris 文組背完抄三次準備面試去 謝謝 12/04 11:58 69F
推 c08371 你這段能默寫也沒辦法pass大學部蝕刻課 是要去面試掃地工 12/04 12:56 70F
→ c08371 嗎 12/04 12:56 71F
推 loveFigo 印象中正型解析度比較好，小線寬幾乎都正型？ 12/04 15:14 72F
→ loveFigo 如果同樣喊7nm, I皇線寬會比較小 12/04 15:15 73F
→ loveFigo 後來I皇就出來講要比單位面積電晶體密度 12/04 15:16 74F
推 modkk 這機密啥？機密是如何做到，不是原理 12/04 21:06 75F
推 modkk 還有AZ已經被併購了，目前唐榮那邊主要是做面板光阻，半導 12/04 21:12 76F
→ modkk 體沒那麼多 12/04 21:12 77F
推 rabbit2233 感謝 12/04 22:44 78F
推 yclt 推推 12/05 00:46 79F
推 ISNAKEI 負光阻用在面板的彩色濾光片比較多 12/05 10:28 80F
推 koibido 推 12/05 19:30 81F
推 carterlin 感謝囉 之前看同機台但轉layer而有speedloss 12/06 08:16 82F
推 frontseat 一般台灣研發以為原理是機密?原理不是入門的基本能力 12/06 14:06 83F
→ frontseat 嗎？偏偏一堆台灣研發連基本原理都不太懂 才會東藏西 12/06 14:07 84F
→ frontseat 藏自以為是機密 哈哈 12/06 14:07 85F