[心得] 台大電子甲 ICS

會寫這篇心得文,是覺得當時準備考試很辛苦 很多東西沒經歷過不知道問不著 今天能考上,也是受了很多前人和同學的幫助 所以也算是同樣的想法,希望能分享自己的經驗給未來有志於考試的人 嚴格說起來,跟大家比我是屬於很晚才起步的,也沒有補習 而這段時間除了考試之外還有很多事情,讓自己備受煎熬與痛苦 我想說的是,比起很多事情,態度,決心和毅力還是最重要的 背景　 我與purehunter大一樣是NTUEE的學生,推甄名次大約是23X/270, 85%左右 總之是很糟糕的數字 大一上在打電動,大一下開始玩社團,從此開始必修很多都低空飛過 大二整年是課業最重,也是我玩社團玩最兇的時候 在大二上的時候,那時候對於電路,電子學,邏輯電路幾乎完全沒有興趣和概念 還是用大一的心態在應付,一切得過且過,慘況可想而知 當時電子學去上課大多是有聽沒有懂,回去也不會想翻厚重的Smith 電路學和微分方程幾乎全部都翹掉了,時間很多都拿去社辦混 結果電路被當明年再來一次 二下沒學乖,課業更重,只比上學期用功一點,重要的信號和電磁,電子學得亂七八糟 其中電磁也是被當明年再來一次 大二這一年的平均成績都沒有70分,一直到大三必修減輕才慢慢拉回來 即使如此,到大三下開始之前是一個連MOS的工作區和導通條件都寫不出來的人 常見單級放大器的configuration更不用說了,當時考試就幾乎沒搞懂過(被教授放過...) 信號系統中的FT,電磁學的Maxwell,一些最基本的東西都一知半解,觀念不清 -- 興趣探索與修課 如前所述,大三上之前沒有任何專精的科目,對所有修過的科目只有一個粗略的了解 (要算的話大概也只有修過兩次的電路學吧.....) 到這裡,必修課也算是差不多結束了,三下開始選修的進階應用課程 這對我來說是很重要的一個學期 我修了VLSI,控制系統,微波系統導論,電磁波實驗和一個專題 學期一開始沒多久就感受到自己的知識有多麼不紮實 MATLAB,工作站,還有一些基本的計算基礎都不行 但是這學期的教授上課都上得非常好 除了上課時理論講解清楚,還將課程有條理的包裝成清楚有趣的內容 讓我把必修課程的基礎理論和選修課程的應用連結 到這裡,算是終於開始把過去學的東西,電子電路系統的概念慢慢合在一起 也不再像是過去必修課做一些不太有趣的計算 作業常常都要花上不少時間摸索,卻是越做越有趣,透過簡單實務模擬與課本相應證 控制系統對於暫態響應,波德圖,頻率響應,s plane做了完整的解釋 彌補了電路學以及電子學中粗略帶過卻很重要的概念 微波系統更像是電磁學的工程應用,天線,放大器,濾波器 同樣是電子學學過的章節,放到電磁學中有更有趣的變化 還有VLSI,完全補齊了電子學部分數位電路不清楚的地方,也了解更多硬體設計上的議題 包括一些閘,邏輯電路,是怎樣從基本的MOS拉高到設計者的思維 整體說來,這個學期的課程是這樣連結起看似零散的必修課 然後把觸角延伸到我們生活中會接觸到的應用 或是對於過去匆匆帶過的課程內容補充得完整詳細 這點在往後修更多選修課越有這種感覺,比起剛開始修沉悶的必修課著實有趣不少 我覺得也是到那時才稍微跨進電機系的領域,去了解到各個不同的組別大概在做什麼 再加上專題部分,教授要求練習一些verilog,還了解一些電腦動畫的背景常識 經過這個學期,開始對很多課產生興趣 尤其是VLSI和專題的部分,讓我決定要繼續朝數位電路的方向認識多一些 不過看到推甄名次.....到暑假才終於確定要朝考試邁進 -- 考試的準備 雖然說到暑假才決定要準備考試,但這過程中回想起來還是有點混 七月的時候還出國去玩,八月在家裡和學校之間來來回回 時而和同學出去玩,有時候在學校的圖書館睡覺 相比其他開始準備考試的同學狂消Smith的習題,或是有補習的人而言 說真的自己多少感到惶恐,而偶爾才會強迫自己要看一點書 到暑假結束之前,打混的內容不說,準備考試的收穫大概是在電子學和微方兩個部分 機率是拖到後面才開始複習 這時候開始常常會看考古題還有前人的心得文 看到幾乎都不會寫,大概只能拿10分的考古題真的會嚇到..... 而我和jamtu大很早就認識了 偶爾他也會嚇嚇我讓我意識到自己當前的努力是遠遠不夠的 以下就三科各時期的進度分別細談： 微分方程 微方的部分,我想算是比較早就開始有接觸,但是方向的錯誤其實走了不少冤枉路 我們的課本,前半段是講一般的ODE還有model,後半段是L和F的transform和PDE,級數解 前半段的部分算是很早就都有在保持接觸,一階ODE課本教說要怎麼解還算熟練 後面的高階齊次ODE也是,課本教的方法不是很難,看一看範例多練習就會 Laplace轉換在控制系統也略有概念 這個部分大部分的參考書大同小異,除了一些其他的解法之外 像是exact的情形,或是用D逆運算子,課本比較沒有討論到這麼深 我在翻喻超凡的工程數學就多了很多課本之外的題目和範圍 我想說的是,雖然在考試的時候解這些必須算得又快又準 但是在離考試還很長一段時間時,應該盡可能去弄懂每一個部分 多看無害,很多東西到了最後一個月幾乎不太會有時間再讓你去搞懂新東西 像我在前期就是就是把ODE還有轉換盡量算熟,但是級數解和Bessel,PDE等等就一直不碰 到最後看了考古題才知道慘 我覺得微分方程其實沒太多捷徑,看的都是假的,會算,算對才是真的 再說,台大很大部分都是以課本為主,一定要把課本弄得很清楚 其他比較tricky的題目和解法,或是課本之外的,就看個人造化吧 所以想考台大的朋友,我也強烈推薦去弄一本上課用書和解答本 然後有耐心地把每個會考的章節掃過,而不是自以為不會考就跳過 model,power series,這些多練習,對於準備考試一定有幫助 像之前jamtu大推薦丁建均老師的網頁連結我就不附了 而周易的寫真秘笈或是喻超凡的工程數學,我覺得前期輔助補充不可少 但是當然要搞清楚範圍,而不是全消 像是二階變係數ODE這種課本上就沒出現過的可以放掉 對於臨場看到題目的反應和信心會有幫助 最後衝刺再回到課本,要求自己精準度,能算對的都不能錯過 以下是我建議的流程 課本 --> 參考書 --> 課本 第一次,距離考試還很久的時候把每個小細節和觀念都捕捉到,定義什麼也不要放過 再來看參考書,增加自己能用的解法和看過的題目 最後再回來,把勾選題目再紮實的練習過,考試好好把握住就好 我想這樣的考試範圍,比起很多系所算是輕鬆一些吧? 也沒有線性代數,矩陣,或是要求要會解很難的PDE之類的(ICS大多考分離變數等級) 機率與統計 這一塊我想是我準備的最不充分的科目吧 一直到十月底我才又一次翻開當時的機率課本 何況我也沒補習,除了課本之外,除了去買題目回來多看也沒有什麼東西可以參考 所以我準備這科的工具還是只有課本,解答和考古題 不過說實話,過去版上考很高的強者很多可供參考,我機率確實沒有考得很好 整本課本的第二章和第三章從離散和連續的各種不同distribution來作鋪陳 第四章和第六章是很精華的地方,也大多把時間放在這個部分 我的方法是先念過課本,然後看看這幾年的考古題,抓大概的方向 和同學討論那些題目的想法之後,再針對自己不熟的地方多練習 這個方法到底好不好很難講,即使如此還是有幾份考古題的題目是看了完全沒什麼想法的 之後就一樣,去解課本上的題目來釐清自己的觀念 機率的50分裡面,總有個十幾二十分會比較接近課本,總不能連這些都拿不到吧? 當然,比起其他兩科我沒有花很多時間在機率上面,考得也不是說很理想 我的方法相比之下就是盡量穩穩拿住接近課本的那個部分,其他的盡量解 這點也就是像微方一樣,要紮實地念過課本,不要漏掉任何細節 解題過程中,也是盡量去思考能套用我們學過的什麼概念 一定要思考!機率用背的是沒什麼用的(除了一些很基本的結果但很複雜的推導之外) 開始進度或許會有點慢,連例題都消還算辛苦而且麻煩 但是累積到第三次的時候,就是看自己的觀念是否正確而且思考迅速了 至於補習班教什麼或是有什麼有用的書,我就不知道了..... 電子學 這當然是考試中我最看重的部分 從準備考試開始,就是先拿起大二下買的Smith中文版從類比電路的部分開始看 經過大三下的VLSI,一直到考試最後衝刺期之前,都沒有花太多時間鑽研數位的部分 這部分Smith寫得不是太難,而修過VLSI再回來看,觀念上都很清楚,我認為只有計算要加強 類比當時的基礎,我是看到電路會完全把所有MOS都當sat(就是沒有其他操作區的概念...) (但是單看一個MOS的話會知道他有幾種工作區,還有公式...) CD,CS,CG,CC,CE,CB,六種在幹嘛都不太知道,也寫不完整 (哪種是當電壓緩衝,或當作轉導放大器,或是電流緩衝?) 雖然不知道應用,但是只要不加上ro,運用pi和T model 我大概還知道gain還有Rin和Rout要怎麼看 差動放大器還有大型OP完全不行 (只畫三角形的OP我會,要我知道OP裡的電路在幹嘛就不行....) 回授(feedback)這部份當時修控制系統有再想過一次,雖然不會算但是有一點概念 (就是回授電路是什麼信號進來(V or I?),是轉換成什麼信號出去(I or V?)) 我覺得上面這個要有點概念,Rin,Rout會變大變小才不會在那裏死背 頻率響應是死穴,幾乎完全不會算,Smith也寫得挺亂的 因此在大四上的那個學期,同時選了系上和研究所的類比積體電路 我覺得學到什麼倒是其次,有一個固定在走的進度push和認識考試的戰友算是最大的收穫 (現在回想起來,系上的有很多時間都在tune電路和layout 而研究所的課就是叫你要乖乖念好Razavi.....) 從八月中開始,我就從第五版Smith,把"頻率響應"和"MOS當主動負載的IC"寫在一起 的那個爛章節開始念,然後Razavi的AIC,則是從最基礎的單級放大器開始念 Smith是中文版,除了翻譯問題之外其實看很快 而Razavi則是要求自己要有耐心念完ch2,3,4,5,6,8 不多,但是要試著從另一種觀點去看電路 這段時間我沒有做任何有數字的題目(雖然對數字有sense也很重要) 就是盡量把分析電路,切成一個一個block這件事情訓練成直覺 然後藉由Razavi的AIC還有Smith的MOS的部分重新去認識到對於各種configuration的需求 因為Gate的Rin很大,而Source的Rin很小,所以能拿來做什麼 又從我們過去就學過的電壓計電流計量測,要並聯還是串聯,Rin要大還是小這種基本問題 去構出整個完整的OP電路,包括input和output要遵守那些特性 了解這些之後,透過AIC知道類比電路每個環節都是環環相扣的 output range, power, gm, ro, noise...... 從大訊號的觀點重新認識MOS的行為 再來是差動放大器,電流鏡,更多的電路基本block,加上feedback的特性 這時候再開始看OP電路已經不像當初這麼可怕了 我覺得類比的部分很多東西觀念一定要很清楚 我做題目的時間不太多,但是花了不少時間去搞懂那些觀念,不同的闡述和應用 把這些都看過一遍,其實已經大約是十月的事情了 (必須說,很多時候我都是零零散散的時間去看懂一個觀念,我大四上還是有一些 麻煩的重課,不見得每天都有好幾個小時能唸研究所的書 但是下定決心,就是隨時想到有空就翻一下,翻一下這樣慢慢累積) 在不想做Smith習題的狀況下,開始去買了考試專用的參考書來看 包括電子學精華題庫,還有劉人傑的最新電子學寶典等等 這時候隨便翻了章節中的習題來做,發現觀念不難,但是怎麼都算不出最後的答案 開始意識到自己的觀念和電路分析技巧一定還有沒有想通的部分 頻率響應的地方如此,回授的地方也是,BJT也是 這些基礎的章節算不出來OP電路就不用談了 所以就是只好慢慢練習題目,去思考為什麼到了這一步之後不知道下一步該怎麼做 要怎樣從題目中去捕捉一些細微的hint 我也不會要求自己一定要做到怎樣,反正題目很多可以練習,就是今天能做到這步 下次再遇到相似的類型我可以做到更後面,更接近答案,慢慢累積總是可以達成 我覺得最新電子學寶典真的不錯,在十月到十二月之間零零散散找了時間大致翻過 類比電路的那些章節,尤其頻率響應,回授,和OP內部,補上很多Smith裡面不清楚的 而且還有很多BJT的題目可以練習 往後再回來練習那些琳瑯滿目的題目,找出自己的漏洞真的學到不少 一月準備期末考,實驗課期末demo,預官考試,幾乎完全沒什麼念 除了期末考類比積體電路,多看了一些tricky的電路之外,就算是增廣見聞吧 對考試幫助不大,還是增強自己的電路分析技巧比較有用 到最後衝刺期,也就是最後三個禮拜時,自己也就是把每次念每次忘的東西慢慢念起來 因為範圍是真的還蠻廣,最後的時間還要拿去學新東西真的會讓自己很痛苦 (雖然好像也只有我是這樣...都聽同學說補習班的老師說,要是到聖誕節還沒念完一遍 就可以開心跟女朋友去過聖誕節了) 最後這段時間,其實還是偶爾會有解不出來的電路,但是還蠻大部分已經大概抓到訣竅 有的要畫小訊號模型來幫助解題,有的還要考慮回授或是極點會在哪裡 一些濾波器,振盪器,或是OP外部電路,也不難,屬於要好好把握住的範圍 考試重點的提示 這個部分,我想多少就談一些最後衝刺時面對到的問題 看前面就知道,我其實念書的時間很零散,自認觀念可以,但很少作計算題 最後是利用這三個禮拜的時間把所有東西統整起來的 考古題用來抓方向還是很有用,最後衝刺時一定要多看 微分方程的部分 本來過年期間除了拜天公之外,就是大約每天算兩到三個小時的微方,就算習題 什麼都算,也因此計算能力進步不少,原本也被我視為是很保險的一科,不至於有大意外 但就像我前面說的,我都只算我很熟的部分 反觀model,級數解,PDE,矩陣一階ODE,還有Bessel和Legendre都似懂非懂 也因為在課本篇幅較短,考古題配分不多,一直不願意去碰,最後變成最大的致命傷 就在我剩下八天左右,還在安排機率跟電子學要幹嘛的時候 戰友來問我考古題"這題要怎麼算?" 是課本習題,我不會,也是我不熟的範圍,一題多選十分,全錯就掰 這時候我才意識到我的微方很危險..... 就這樣,接下來我花了五天,整整五天,當時我一天念書最多十一個小時,少則八個小時 先把power series紮實的練習,那種一題要算二十分鐘,還不知道會不會考 考前才念真的很慘,更不用說,Frobenius有三種case,有一種我到現在還是不會 結束之後,開始練習矩陣ODE(這也是考古題有的) 然後Model一些單位的轉換很重要,會解微方但是算式列不出來的話,一切都白搭 就這樣,一路掃到PDE,最後我真的不行了,還有Bessel沒念 但是再兩天就要考試了,PDE只會分離變數,用傅立葉轉換解PDE不會 最後也只好放棄那些部分 現在看來,那五天很焦躁,但是最後那次地毯式的練習幫助很大(我不鼓勵只留幾天準備) 今年沒考太多應用題,都是基本微方,但是很多都考到了 看到考卷的時候,心裡正盤算100分鐘要怎麼分配,看了看配分和有把握的題目 覺得只要把會的都寫出來應該就很有機會了 而那些會的當中,矩陣,PDE分離變數,又有多少是在那五天完成的 (好險最後沒考Bessel) 最後微方這部分也算是表現得不錯,好像也沒有miss掉什麼該得的分數 機率的部分 今年考了不少選擇題,當中有一兩題和課本最難的習題相似度還蠻高的 在看到考卷的當下,其實我已經完全了解,這不是我這100分鐘之內可以做出來的題目 所以就還是盡量把有把握的都寫出來 考試的時候真的很趕很趕,要多寫幾題一定沒什麼時間讓你慢慢在那裏想解法 我覺得MGF還有兩個變數的PDF,CDF這一塊一定要觀念透徹 比起那種比較天馬行空的題目,我認為這種算是不太好寫但觀念透徹就能拿到分的題目吧 當然一些distribution的期望值和標準差,平常自己就都要推過有印象 電子學的部分 電子學這個部分,我個人認為更多是累積的過程,畢竟範圍這麼大 要在短時間之內念起來實在不太可能 在建立觀念之後,其實也就是不斷增強自己電路分析的能力 最後計算題的決勝點也在於此 時間上比較趕的人,我覺得feedback觀念雖然重要,但計算題比較考不出來,不用太執著 除非是很複雜的電路只能取大概的值,否則一般用feedback解多少是有誤差的近似解 但是選擇題的話,哪些會有影響,gain什麼之類的,一定要很清楚很清楚 然後也只有頻率響應和feedback搭配在一起,才會影響到穩定度的問題 包括Nyquist plot或是Barkhausen criterion之類的 frequency response搭配一些一到二級的OP會是比較有可能出現的計算題目 其實我不是很確定通常答案都要求到什麼程度 而頻率響應到後來我覺得最機車的是BJT的Miller Effect 跨接電容看到的電阻,又或者是考慮Early Effect或是Channel length等的電路 這種我幾乎是當場推不出來的,前者最後我是直接背參考書的方法 後者那種二次電路幾乎被我直接忽略(事實證明其實這種也不太常考) 所以平常在練習看pole和zero就要試著完全精準寫出是哪個R*C,差一點就差很多 此外,我覺得濾波器,波形產生器,還有OP外部電路這些觀念上比較沒那麼複雜 念的過程自己推一遍,或是把波形振盪過程R和C的充放電順序自己寫過一遍 加深印象,對於觀念理解會有幫助 以今年來說,前十題選擇題還是考驗觀念的正確度,能對七題以上就很有機會 後面的兩題計算,第一題算是比較容易,第二題我真的不會 最後比的還是觀念的正確(選擇)和電路分析呀 -- 口試 第一關: 呂良鴻教授 我一進去,教授說只有五分鐘,我們直接開始問問題吧 看了一下我的自介,打算做數位呀 那先畫個CMOS Inv <---不會就不用來考試了 接著問我,這個東西有所謂的動態功率以及靜態功率,叫我解釋一下兩者的差別 我回答:一個是CMOS切換時消耗的功率,一個是信號不變時到地的路徑有電流流過消耗功率 然後寫出兩者的公式,在寫動態的時候,只寫了a*f*V^2,一開始還漏寫C,老師說因次上 好像有一點差喔,提示我是功率,那應該是有電流流到哪裡?於是我立刻補上C 靜態的部分,我就口頭解釋說,供應電壓VDD乘上到地的電流I就是消耗的功率 "所以一個理想上的CMOS Inv,靜態功率是?" "是0" 接著老師請我畫出Inv的transfer characteristic 畫出來了之後,問我NMH & NML的定義是如何界定 因為版上和學長都有講過,那個禮拜有再特別看到跟同學討論吧 總之標出了VOH,VIH,VOL,VIL四個點,回答出這個curve的NMH是哪,NML是哪 接著老師問我,現在這是NMOS和PMOS拉電流能力相同的曲線(match) 要我考慮不match的狀況,問說加大NMOS還是PMOS的size可以讓NMH變大? 正好與我和同學前天討論的題目一模一樣...... 於是很快就回答size這樣調整時,曲線會往這邊移動,這樣的話NMH就變大了 最後教授問我,那有什麼方法可以讓CMOS Inv變快 就在此時,鬧鐘響了,我把東西收一收 回答說,加大VDD(增加電流)或是縮小下一級的電容(input capacitance)吧 整體來說,這關我覺得算是答得不錯,其實除了前面那個漏了C 其他的問題都有剛好討論到或是不算很難的觀念題 -- 第二關: 簡韶逸教授 其實教授都沒在計時,所以考試時這關大delay 我一進去教授先看了我的資料,然後請我花一分鐘介紹自己修過的專題 雖然我有大概想過我做了些什麼,但是第一次講,講得有點零散沒一個重點 又講說前半學期接觸過CVSD的課程,又講說後半學期接觸一些電腦動畫影像處理的issue 目標是放在硬體加速的演算法上面種種,總之就是感覺講了四五件事情卻兜不在一起 但先講結論,我覺得這關我沒有回答得很好 如果能有任何加分的點,除了NTUEE之外,就是專題講到的東西是真的數位在做的一部份吧 結束之後,先看了投影幕,是一個電路,希望我能判斷出他的boolean function 有八個電晶體,中間四個是由S和S bar控制,以及外面是A和B 一開始不太容易馬上看出來,但是先從S判斷結論之後就容易釐清了 老師也說,在判斷的過程中,也講出自己判斷的想法,這樣就算最後結果不對 也可以藉由想法引導或是觀察對電路的判斷力與反應 ----------------- (下面的圖片取自DOMENKING大,感謝) 第一題 ＿＿＿ ＿＿＿ 　｜ 　｜ 　｜ 　｜ ┌ ┌ Ao| Bo| └ └ 　｜ 　｜ _ ┌ ┌ So| So| └ └ 　├───┼─ Y ┌ _ ┌ S | S | └ └ 　｜ 　｜ ┌ ┌ A | B | └ └ 　｜ 　｜ 　｜ 　｜ ＿＿＿ ＿＿＿ 第二題 ＿＿＿ ＿＿＿ 　｜ 　｜ 　｜ 　｜ ┌ ┌ Ao| Bo| └ └ 　｜ 　｜ _ ┌ _ ┌ So| So| └ └ 　├───┼─ Y ┌ ┌ S | S | └ └ 　｜ 　｜ ┌ ┌ A | B | └ └ 　｜ 　｜ 　｜ 　｜ ＿＿＿ ＿＿＿ ----------------- 第一個花了一點時間答出來之後,第二個電路,教授把原先的S和S bar反接 問我這樣會變成什麼 從後來和同學討論的解答來說,好像是S操控開關的兩個A & B inv串接(結果怎樣我不知道) 不過以我當時始終把整個東西想成是"一個"電路來說 短時間根本就想不到是兩個電路串接這樣 不過我還是照第一個圖的方法,從S開始判斷,試圖解出他的boolean function 但是第二個圖用function是很不容易表達的(但觀念說穿了卻很簡單) 於是就用一些high & low的方法去做一些歸納 最後我應該是講了一大堆,但沒有給出正確答案就結束了 大多數人看到第二個電路還是會傻住一下 不過我覺得這關我沒有回答得非常好就是了 -- 第三關: 陳信樹教授 教授人很好,一進去看完我的資料,問說我想做數位,先介紹我的專題吧 這次再講一次就顯得有重點的多,也表達得蠻清楚的 然後教授就請我畫一個NOR2的Gate 又問我怎樣可以加快他的速度 所以又是加大VDD,降低capacitance,讓電流提升之類的 這關大致這樣,再加上其實已經有點delay,沒特別問什麼就結束了 整體來說這關比較偏向聊天XD -- 第四關: 劉深淵教授 進去之前身邊的同學都說這關答得很不好,教授好像比較兇 進去之後一樣先看了資料,"想做數位的呀...那這裡說演算法是硬體還是軟體呢" "硬體" "那介紹一下你的專題吧" 於是乎第三次介紹自己的專題:Verilog,影像處理,演算法等 "恩 那我想先問喔, CMOS Inv知道吧?" "知道"(該不會又是怎麼加快吧...) "如果是單一個CMOS Inv的話,你要怎麼讓他速度變快呢"(果然....) 速度變快的話,就是讓他電流變大,充放電速度變快,根據 I*dt = C*dV 提升VDD會讓I變大,再來就是速度跟RC delay有關,所以降低C也可以變快 "好 那現在呢 有一個3個CMOS Inv串接成的Ring oscillator" "在剛剛的那幾個方法之外,你還有什麼方法可以讓他振盪頻率變高嗎?" 我其實好像有一點點傻住....在剛剛的方法之外喔..... 教授會說不要緊張,慢慢想 我就先擠出一個"這樣的話,第一個當然是串接的stage不能太多吧....." "奇數個,但是太多delay就變大了,可是已經說是三個串接" "沒關係,就照你描述的盡量想辦法去做" 再來的話....剛剛那兩個不能講了..... 我想到以前修VLSI似乎有講過,如果已經有預定要輸出什麼值,可以做high或low skew 這樣某個方向NMOS或PMOS拉電流的能力比較強,而RC delay不會是match size時這麼大 不過當時描述這個想法沒想到每個stage還是都有高低輸出的可能 "好像不太對喔,兩種output還是都有可能,這樣不能加快吧" "不要緊張,慢慢想,不知道就說不會" 然後這時候,VDD和RC delay加快不管用,我只好亂擠,講出一些很冷門的 "降低溫度也可以....吧,就是讓mobility增加,電流加大" 這個版上好像有提過 這周在複習VLSI時也看了一些CMOS device工作的範圍,業界,工業,軍方標準不一 不過有一些就是在跑模擬時Fast,Slow還有temperature的corner "恩...這個也可以,還有嗎?" "恩....暫時想不太到了" "好,那我想我們就到這裡吧,我只是想看看學生的反應,其實利用製程降低Vt也可以" "喔~(恍然大悟)我了解了,謝謝教授XD" 整體來說,我個人是覺得這關我也沒有回答得很好,就也有答不出來的部分 事後問其他同學,似乎多少都有被劉深淵教授問到答不出來吧 -- 簡單來說,口試的部分是這樣 看你想做數位或是類比,教授問的問題也會不一樣 不過問數位的,幾乎都是從CMOS Inv起頭,畫一些簡單的gate阿,問你怎麼加快 特性曲線,拉電流的能力這種等等的觀念,幾乎一定會考 比起來我是覺得比類比好答一些 至少教授要是問到比較複雜一點的類比串接電路(cascode),我是沒什麼把握 馬上就回答出怎麼提升Av或是gm和Ids之間的tradeoff等等 教授人也都很好,都會跟你講慢慢講不要緊張,所以就是把會的講出來就好吧 呂良鴻教授,NMH和NML常考,口試前最好在把這個地方複習一下 而劉深淵教授的問題,我覺得是讓你在知道電流加大速度會變快的這個事實之下 想得更深,回到MOS電流的公式,從MOS的設計參數去思考還能改變什麼來提升I 讓Inv變快,萬年考題,數位幾乎一定問,一定要會(有時候是問NOR或NAND,答案差不多) 其他大家就放輕鬆謹慎以對便是 抱歉這篇沒辦法給大家太多類比方面問題的幫助 -- 總結 寫到這裡,算是我對於準備過程分享的一些小經驗 很大一部份其實可能沒辦法幫助到太多人,如果大家有問題也歡迎站內信 比起怎麼準備,要看哪些書,一天要讀多久,其實我是屬於很隨興的那種人 總之買了書就好好念,剛開始也是念很少時間,只覺得念懂更重要,但是一定要一步一步念 真的要說比較密集就是到了寒假,那三個禮拜真的是我最用功的時間 大概也是知道沒什麼退路吧,才強迫自己一定要完成某些要求 讓自己的觀念實際能運用在考場上,在解題的精準和速度兩個方面不斷磨練 不管怎麼說,經歷過考試這個關卡,在未來有很多很多是考不出來的積累 一些修過相關課程tune過電路的都知道,那些計算很大部分都不準 重要的是計算背後了解每個trade off之間的關係,那才是設計電路的基礎 想感謝的人很多很多,給予我很多意見的乙龍學長,還有jamtu大 一起準備考試的戰友 和 督促我念書常常拯救我的室友 當然還有願意看完這麼長一篇的你 -- 隨筆 最後這一段,純粹是我對於這段時間的抒發,從決定要考試到現在的這段時間 能考上其實還是相當開心,也很慶幸自己總算是念了一點東西,而不是樣樣都不精 雖然還有很多洞要補是真的 在過去這一年裡,對我來說是非常精彩的一年,不斷的挑戰自己,去嘗試很多事情 眼界和想法也比起大一大二還要寬闊很多 有趣的是,在去年十一月之後,我陷入很糟糕的低潮 包括我們系上比較重的數位電路實驗,還有後半學期比較重的課業壓力 對未來的想法和家裡不太合需要不斷溝通,感情方面也遭遇很大的反差和打擊 最後就是還有考試的壓力 現在回想起來,十二月開始,每天都要在床上翻來覆去想東想西兩個小時才睡得著 連我妹看到我都覺得我氣色很差 到現在,大部分的難關最後都安然度過,只有感情方面大概要要無疾而終了(笑 雖然是拖了很久的事情,但在那段時間的壓力下加上自己的胡思亂想真的不是鬧著玩的 即便是現在我都還是不太能接受這個事實XD 十二月和一月幾乎沒什麼心思念書,一直到寒假才終於體認到考試暫時更重要 當時的慘況真的是連現在自己想起來都還會怕呀 尤其是那種心裡明明有別的事情,卻還得硬著頭皮念書的感覺真的很不好 每天都不斷催眠自己,考上才有後續的機會,勉強繼續自己苦撐 到最後終於許下,不管被任何事情打擊,都一定要再站起來跨過眼前這關的承諾 是這樣一件事情,讓我在去年剛開始時意氣風發,卻在考前最後一刻嚐盡冷暖 沒有那段時間也不會有今天,到底好不好?不知道 想寫這段事情,只是想分享給大家 無論發生什麼事情,態度,毅力和堅持下去的信心才是最重要的 從自己出發,具備了這些,成功才有機會隨之而來 -- 成績的部分我就不附了 正取X 寫得有點亂,或是還有一些缺漏的,如果有任何疑問歡迎站內信 我也會在我能力範圍之內盡量回答,謝謝大家 祝福大家未來也都能金榜題名! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)