[新聞] 涉向中國外洩DRAM晶片技術 前三星電子
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原文標題:
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涉向中國外洩DRAM晶片技術 前三星電子工程師被捕
原文連結:
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https://www.cna.com.tw/news/aopl/202412030425.aspx
發布時間:
2024/12/3 22:21
※請以原文網頁/報紙之發布時間為準
記者署名:
中央社首爾3日綜合外電報導
※原文無記載者得留空
原文內容:
韓國警方今天表示,1名前三星電子工程師因涉嫌挖角三星的半導體核心技術人才,加上向
中國成都高真科技(CHJS)洩漏20奈米DRAM記憶體晶片技術,遭逮捕並移送檢方。
韓聯社報導,首爾警察廳產業技術安全偵查隊今天指出,64歲前三星電子(Samsung Electr
onics)工程師因涉嫌違反「職業安定法」被捕,並移送首爾中央地方檢察廳。
據報導,該男曾以顧問身分參與創立成都高真公司,同時期還在韓國成立獵頭公司,以至少
2至3倍的優渥薪資挖角三星電子核心技術人才,協助在中國「復刻」動態隨機存取記憶體(
DRAM)工廠,並於2022年4月成功生產半導體晶圓。
這座DRAM工廠從完工到投產僅費時1年3個月。一般來說,晶圓從測試到量產通常需要4至5年
。
韓國警方提到,外流技術的經濟價值高達4兆3000億韓元(約新台幣998億元),若考慮相關
經濟效益,實際損失規模更加龐大。
除了這名前工程師,還有以相同手法挖角韓國半導體人才的2位獵頭公司代表及法人被移送
法辦。據悉獵頭公司已替成都高真挖角逾30名技術人員。
儘管韓國國家關鍵技術外流,警方只能根據刑責較輕的「職業安定法」、而非「產業技術保
護法」來逮捕涉案嫌犯。
警方解釋,根據現行法規,以「挖角」方式外流技術的行為不屬於「產業技術保護法」規定
的懲處範圍,因此有必要針對相關法律進行修法,以嚴懲商業間諜。
報導指,包括前三星電子工程師在內,成都高真技術外洩案共有21人遭移送法辦。
成都高真創辦人、前三星電子常務兼前SK海力士(SK Hynix)副社長崔珍奭等人則已被捕,
他們涉嫌違反「產業技術保護法」及「防止不正當競爭及商業秘密保護法」。(編輯:洪培
英/核稿:施施)1131203
心得/評論:
※必需填寫滿30正體中文字,無意義者板規處分
慘,記憶體被中國競爭還被被中國偷技術已經夠慘了,
還被自家總統搞,
2個多小時就解嚴了,但股價回不去了。
美光倒是得利,股價紅盤。
https://i.imgur.com/Dy01gT1.jpeg
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